商品名稱:FP25R12W2T7B11
數(shù)據(jù)手冊:FP25R12W2T7B11.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:Module
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
FP25R12W2T7B11 具有一個溝槽/場截止 IGBT7 和四個帶 PressFIT/NTC/TIM 的發(fā)射極控制二極管。FP25R12W2T7B11 開關(guān)損耗低、VCE,sat 低。該器件采用 PressFIT 接觸技術(shù),并通過集成安裝夾具實現(xiàn)了堅固耐用的安裝設(shè)計。
特性
耐氣候性
電機
無磨損
溝槽式 IGBT 7
正溫度系數(shù) VcEsat
低電壓
Al2O3 基底面,具有較小的熱穩(wěn)定性 組合設(shè)計
結(jié)合技術(shù)
通過集成的抗熱錘實現(xiàn)穩(wěn)健的 Montage
應(yīng)用
輔助逆變器
空調(diào)
電機驅(qū)動
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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IPB180N04S4L-H0 是英飛凌推出的一款 N溝道功率MOSFET,屬于 OptiMOS? T2 40V 系列,采用 TO-263-7(DPak)封裝。電話咨詢:86-755-83294757
企業(yè)QQ:1668527835/ 2850151598/?2850151584/ 2850151585
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