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ISC007N04NM6 是N溝道功率MOSFET，屬于 OptiMOS? 6 系列，采用 PG-TDSON-8 FL 封裝。該器件具有 超低導(dǎo)通電阻（RDS(on) = 0.7mΩ @ 10V VGS） 和 高電流承載能力（48A @ Ta, 381A @ Tc），專為 高效率電源轉(zhuǎn)換、電池管理及工業(yè)驅(qū)動(dòng) 應(yīng)用設(shè)計(jì)。

ISC007N04NM6 產(chǎn)品特性

低導(dǎo)通電阻：最大導(dǎo)通電阻（RDS(on)）僅為 0.7 mΩ（@ VGS=10V，ID=50A），有助于減少功率損耗。

高電流能力：連續(xù)漏極電流（ID）可達(dá) 381A。

高雪崩能力：100% 雪崩測(cè)試，確保在過(guò)載條件下也能可靠工作。

優(yōu)化的電荷比：QGD/QGS < 0.8，具有 C.dv/dt 抗擾能力，降低柵極電壓尖峰。

低柵極電荷：減少開(kāi)關(guān)損耗。

正常電平柵極驅(qū)動(dòng)：防止嘈雜環(huán)境中的錯(cuò)誤導(dǎo)通。

環(huán)保特性：無(wú)鉛鍍層，符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，且無(wú)鹵素。

寬工作溫度范圍：-55°C 至 +175°C。

ISC007N04NM6 產(chǎn)品屬性

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TDSON-FL-8

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 40 V

Id-連續(xù)漏極電流: 381 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 700 uOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.8 V

Qg-柵極電荷: 94 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 188 W

通道模式: Enhancement

商標(biāo)名: OptiMOS

應(yīng)用領(lǐng)域

ISC007N04NM6 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：

電池供電應(yīng)用：如電池供電工具、電池管理。

低壓驅(qū)動(dòng)器：適用于低電壓驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。

開(kāi)關(guān)電源（SMPS）：如同步整流、DC-DC 轉(zhuǎn)換器。

負(fù)載開(kāi)關(guān)：用于控制電子設(shè)備的供電狀態(tài)。

電機(jī)驅(qū)動(dòng)：適用于 FOC（磁場(chǎng)定向控制）和 DTC（直接轉(zhuǎn)矩控制）電機(jī)控制技術(shù)。

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