最新資訊隨著AI算力需求爆發(fā)式增長(zhǎng)，數(shù)據(jù)中心的供電系統(tǒng)正面臨前所未有的挑戰(zhàn)。2025年5月，納微半導(dǎo)體宣布，推出專為超大規(guī)模AI數(shù)據(jù)中心設(shè)計(jì)的最新12kW量產(chǎn)電源參考設(shè)計(jì)，可以適配功率密度達(dá)120kW的高功率服務(wù)器機(jī)架。這款產(chǎn)品的特別之處，在于12kW電源遵循ORv3規(guī)范及開(kāi)放計(jì)算項(xiàng)目…
隨著AI算力需求爆發(fā)式增長(zhǎng)，數(shù)據(jù)中心的供電系統(tǒng)正面臨前所未有的挑戰(zhàn)。2025年5月，納微半導(dǎo)體宣布，推出專為超大規(guī)模AI數(shù)據(jù)中心設(shè)計(jì)的最新12kW量產(chǎn)電源參考設(shè)計(jì)，可以適配功率密度達(dá)120kW的高功率服務(wù)器機(jī)架。
這款產(chǎn)品的特別之處，在于12kW電源遵循ORv3規(guī)范及開(kāi)放計(jì)算項(xiàng)目（OCP）標(biāo)準(zhǔn)，采用第三代快速碳化硅MOSFET和新型IntelliWeave數(shù)字技術(shù)，以及配置于三相交錯(cuò)TP-PFC和FB-LLC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中的高功率 GaNSafe氮化鎵功率芯片，以極簡(jiǎn)元件布局實(shí)現(xiàn)最高效率與性能。
在關(guān)鍵的技術(shù)上，納微12kW電源中采用的三相交錯(cuò)TP-PFC拓?fù)溆刹捎谩皽喜圯o助平面柵”技術(shù)的第三代快速碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)。三相交錯(cuò)FB-LLC拓?fù)溆杉{微半導(dǎo)體的高功率旗艦——第四代GaNSafe氮化鎵功率芯片驅(qū)動(dòng)，其集成了控制、驅(qū)動(dòng)、感測(cè)以及關(guān)鍵的保護(hù)功能，使其在高功率應(yīng)用中具備了前所未有的可靠性和魯棒性。
該電源的尺寸為790×73.5×40mm，輸入電壓范圍180–305VAC，輸出最高電壓為50VDC。當(dāng)輸入電壓高于207VAC時(shí)輸出12kW功率，低于該閾值時(shí)輸出10kW。其配備主動(dòng)均流功能及過(guò)流、過(guò)壓、欠壓、過(guò)熱保護(hù)機(jī)制，可在-5至45℃溫度范圍內(nèi)正常運(yùn)行，12kW負(fù)載下保持時(shí)間達(dá)20ms，浪涌電流為穩(wěn)態(tài)電流3倍（持續(xù)時(shí)間<20ms），采用內(nèi)部風(fēng)扇散熱。
NVIDIA推出的下一代800V HVDC架構(gòu)，旨在為未來(lái)AI的計(jì)算負(fù)載提供高效、可擴(kuò)展的電力傳輸能力，實(shí)現(xiàn)更高可靠性、更優(yōu)效率并簡(jiǎn)化基礎(chǔ)設(shè)施設(shè)計(jì)。英偉達(dá)在下一代800V HVDC架構(gòu)采用納微半導(dǎo)體的GaNFast氮化鎵和GeneSiC碳化硅技術(shù)開(kāi)發(fā)。
在二次側(cè)DC-DC變換領(lǐng)域，納微半導(dǎo)體推出80-120V的中壓氮化鎵功率器件，專為輸出48V-54V的AI數(shù)據(jù)中心電源優(yōu)化設(shè)計(jì)，可實(shí)現(xiàn)高速、高效、低占板面積的功率轉(zhuǎn)換。
未來(lái)展望
納微計(jì)劃 2026年推出更高功率方案，并聯(lián)合英偉達(dá)推進(jìn) 800V HVDC架構(gòu)，進(jìn)一步優(yōu)化AI數(shù)據(jù)中心的能源效率。
這款12kW電源的發(fā)布，標(biāo)志著GaN+SiC混合設(shè)計(jì)正式成為下一代AI供電的核心技術(shù)，為全球算力基礎(chǔ)設(shè)施提供高效、可靠的電力支持。
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