商品名稱:GaN FET
品牌:Renesas
年份:25+
封裝:8-PQFN
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1500 件
TP70H480G4JSGB 700V、480mΩ 氮化鎵(GaN)FET 是一款常關(guān)器件,采用第四代SuperGaN平臺。它結(jié)合了最先進(jìn)的高壓氮化鎵 HEMT 和低壓硅 MOSFET,提供卓越的可靠性和性能。其主要特性包括:
■ 第四代技術(shù)
■ JEDEC合格的氮化鎵技術(shù)
■ 動(dòng)態(tài) RDS(on)eff 生產(chǎn)測試
■ 堅(jiān)固的設(shè)計(jì),定義為
● 瞬態(tài)過壓能力
● 使用 E 模式柵極驅(qū)動(dòng)器運(yùn)行,無需齊納保護(hù)。
■ 非常低的 QRR
■ 減少交叉損耗
■ 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的無鹵包裝
■ 2 kV HBM ESD 額定值
該第四代 SuperGaN? 平臺采用先進(jìn)的外延和專利設(shè)計(jì)技術(shù),通過降低柵極電荷、輸出電容、交叉損耗和反向恢復(fù)電荷來簡化可制造性,同時(shí)提高硅效率。
應(yīng)用領(lǐng)域
TP70H480G4JSGB廣泛用于以下領(lǐng)域
■ 消費(fèi)領(lǐng)域
■ 電源適配器
■ 低功耗 SMPS
■ 照明系統(tǒng)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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瑞薩科技是世界十大半導(dǎo)體芯片供應(yīng)商之一,在很多諸如移動(dòng)通信、汽車電子和PC/AV 等領(lǐng)域獲得了全球最高市場份額。瑞薩科技在2003年4月1日正式成立,以領(lǐng)先的科技實(shí)現(xiàn)人類的夢想。結(jié)合了日立與三菱電機(jī)在半導(dǎo)體領(lǐng)域上的豐富經(jīng)驗(yàn)和專業(yè)知識,配合全球二萬七千名員工的無限創(chuàng)…
SLG7MD47701V
SLG7MD47701V是適用于全橋和半橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的多功能解決方案,具有可配置的輸出,可通過 AIN1、AIN2、PWM 和 nSLEEP 引腳實(shí)現(xiàn)精確的電機(jī)控制。這款緊湊型器件針對低電壓和電池供電的電機(jī)控制應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化,非常適合小型、高能效設(shè)計(jì)。以下是其核心特性:4 個(gè)高壓大電…SLG7MD47671V
SLG7MD47671V是一種適用于低壓和電池供電的電機(jī)控制應(yīng)用的、緊湊高效的集成解決方案,非常適合尺寸至關(guān)重要的小型設(shè)備。它將驅(qū)動(dòng)器 FET 和控制電路組合在單個(gè)元件中,簡化了設(shè)計(jì)并減少了元件數(shù)量。SLG7MD47671V具有相位/使能 (PH/EN) 輸入接口,可精確地實(shí)現(xiàn)電機(jī)方向控…SLG7MD47673V
SLG7MD47673V是一款緊湊高效的集成 H 橋/半橋驅(qū)動(dòng)器,專為高達(dá) 26.4V 和 3A(最大)輸出的寬電壓應(yīng)用而設(shè)計(jì)。SLG7MD47673V非常適合功率和尺寸都至關(guān)重要的應(yīng)用,它將 NMOS FET 集成到 HV OUT CTRL 宏單元中,允許進(jìn)行詳細(xì)的配置設(shè)置。以下是其核心特性:兩個(gè)高壓大電流驅(qū)…SLG7MD47679V
SLG7MD47679V是一款多功能全橋(H橋)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器解決方案,專為高壓應(yīng)用而設(shè)計(jì),具有可配置的脈寬調(diào)制 (PWM) 宏單元和強(qiáng)大的高壓輸出。SLG7MD47679V具有高電壓和大電流處理能力,非常適合復(fù)雜的電機(jī)或負(fù)載驅(qū)動(dòng)應(yīng)用、智能電平轉(zhuǎn)換器,以及高效管理高壓、大電流負(fù)載。其通過…RAA2100404GLG
RAA2100404GLG 是一款緊湊、同步降壓、非隔離的完整電源,能夠提供高達(dá) 4A 的連續(xù)電流。通過在單個(gè) 2.7V 至 5.5V 輸入電源軌上工作,并集成控制器、柵極驅(qū)動(dòng)器、功率電感器和 MOSFET,該RAA2100404GLG針對空間受限的應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。核心規(guī)格類型:非隔離 PoL 模塊輸出數(shù)…RBA500N10EHWT-2UA01
RBA500N10EHWT-2UA01 N 溝道 MOSFET 場效應(yīng)晶體管專為大電流開關(guān)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。REXFET-1 100V 技術(shù)采用分離柵極結(jié)構(gòu),可提供低導(dǎo)通電阻。 它減少了電容和柵極電荷,以實(shí)現(xiàn)更高效的開關(guān)。 得益于該技術(shù),MOSFET可實(shí)現(xiàn)高開關(guān)速度和低功耗,從而提高能源效率。 此外,RBA500N1…電話咨詢:86-755-83294757
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