商品名稱:時鐘發(fā)生器
品牌:Renesas
年份:25+
封裝:28-VFQFPN
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
9FGL6251AP301NDGI是(Renesas)推出的智能PCIe時鐘緩沖器/發(fā)生器,主要用于NVMe存儲設(shè)備。該器件通過優(yōu)化時鐘信號傳輸,確保數(shù)據(jù)傳輸?shù)姆€(wěn)定性和可靠性,適用于高速數(shù)據(jù)通信場景。
主要特性
支持PCIe接口協(xié)議,兼容NVMe存儲標(biāo)準(zhǔn)。
提供時鐘緩沖功能,減少信號衰減和失真。
適用于高速數(shù)據(jù)傳輸場景,保障信號同步性。
性能參數(shù)
產(chǎn)品:9FGL6251AP301NDGI
PLL:是
主要用途:PCI Express(PCIe)
輸入:時鐘,晶體
輸出:HCSL,LVCMOS
電路數(shù):1
比率 - 輸入:輸出:3:3
差分 - 輸入:輸出:是/是
頻率 - 最大值:100MHz
電壓 - 供電:1.71V ~ 1.89V,2.375V ~ 3.465V,3.135V ~ 3.465V
工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
安裝類型:表面貼裝型
封裝/外殼:28-VFQFN
應(yīng)用領(lǐng)域
9FGL6251AP301NDGI主要應(yīng)用于NVMe固態(tài)硬盤(SSD)、高性能存儲模塊等需要精確時鐘同步的設(shè)備。
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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TP65H100G4LSGB
TP65H100G4LSGB是 Renesas 推出的650V SuperGaN GaN FET ,采用 Gen IV 技術(shù)平臺,結(jié)合高電壓 GaN HEMT 與低電壓 硅MOSFET ,具備優(yōu)異可靠性及性能。產(chǎn)品屬性FET 類型:N 通道技術(shù):GaNFET(氮化鎵)漏源電壓(Vdss):650 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):18.9A(Tc)驅(qū)動…TP65H100G4PS
TP65H100G4PS是 Renesas 推出的650V GaN FET (氮化鎵場效應(yīng)晶體管),采用 Gen IV SuperGaN平臺技術(shù),具有高可靠性、低損耗特性。主要規(guī)格FET 類型:N 通道技術(shù):GaNFET(氮化鎵)漏源電壓(Vdss):650 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):18.9A(Tc)驅(qū)動電壓(最大 Rds On…TP65H035G4YS
TP65H035G4YS 是 Renesas 推出的SuperGaN FET器件,采用 TO-247-4L封裝 ,導(dǎo)通電阻為35mΩ,具備開爾文源極端子設(shè)計。TP65H035G4YS器件結(jié)合了最先進(jìn)的高壓 GaN HEMT 和低壓硅 MOSFET 技術(shù),可提供卓越的可靠性和性能。TP65H035G4YS 具有以下主要特性:第四代技術(shù)符合 JED…TP65H035G4WSQA
TP65H035G4WSQA 650V 35mΩ 氮化鎵 (GaN) FET 是使用Renesas的 GenIV 平臺構(gòu)建的常閉器件。使用專有技術(shù),從而降低了內(nèi)部封裝電感并簡化了組裝過程。它將最先進(jìn)的高壓 GaN HEMT 與低壓硅 MOSFET 相結(jié)合,以提供卓越的可靠性和性能。此外,TP65H035G4WSQA還通過了 175C …TP65H070G4RS
TP65H070G4RS 是 Renesas 推出的第四代 SuperGaN 技術(shù)FET器件,采用 TOLT封裝 (頂部散熱型表面貼裝),適用于需要高效熱管理和高可靠性的場景。其主要規(guī)格如下:FET 類型:N 通道技術(shù):GaNFET(氮化鎵)漏源電壓(Vdss):650 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):29A(Tc)驅(qū)…TP65H070G4PS
TP65H070G4PS是一款650V、70mΩ的氮化鎵(GaN)場效應(yīng)晶體管(FET),采用TO-220封裝,由(Renesas)生產(chǎn)。該器件具有低導(dǎo)通電阻和優(yōu)異開關(guān)性能,適用于高效率電源轉(zhuǎn)換場景。核心參數(shù)FET 類型:N 通道技術(shù):GaNFET(氮化鎵)漏源電壓(Vdss):650 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極…電話咨詢:86-755-83294757
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