UPD720114GA 是一款瑞薩電子的高性能 USB 2.0 集線器控制器,符合 USB 2.0 規(guī)范,支持高速(480 Mbps)、全速(12 Mbps)和低速(1.5 Mbps)數(shù)據(jù)傳輸。該芯片集成多個功能模塊,包括 USB 控制器、端口管理、電源管理和狀態(tài)指示等,適用于多種電子設備和系統(tǒng)。
UPD720114GA 產品特性
高速數(shù)據(jù)傳輸:支持 USB 2.0 標準,最高傳輸速率可達 480 Mbps。
向下兼容:兼容 USB 1.1 設備和主機。
多端口支持:最多支持 4 個下游端口。
低功耗設計:在輪轂空閑時功耗低至 10μA,所有端口在高速模式下運行時功耗為 149mA。
集成功能:支持分割事務處理、過電流保護、LED 端口狀態(tài)指示等。
電源管理:支持自供電和總線供電模式。
封裝形式:采用 48 引腳 TQFP 封裝。
UPD720114GA 技術參數(shù)
數(shù)據(jù)傳輸速率:高速(480 Mbps)、全速(12 Mbps)、低速(1.5 Mbps)
工作電壓:3.14V 至 3.46V
工作溫度范圍:0°C 至 85°C
封裝形式:48-TQFP(7x7 mm)
最大下游端口數(shù): 4
功耗:空閑時 10μA,高速模式下 149mA
UPD720114GA 應用領域
消費電子:如智能手機、平板電腦、智能電視等,提供額外的 USB 擴展能力。
工業(yè)自動化:用于工業(yè)設備與 PC 之間的通信接口。
嵌入式系統(tǒng):如機頂盒、便攜式醫(yī)療設備等,增強設備的 USB 連接功能。
數(shù)據(jù)存儲:如移動硬盤、USB 閃存驅動器等,實現(xiàn)高速數(shù)據(jù)傳輸。
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Microchip
100-VQFN
2000
USB 集線器控制器 USB 2.0,USB 3.2 GPIO,I2C,I2S,SPI,SMBus,USB 接口 100-VQFN(12x12)
Microchip
100-VQFN
2000
USB 集線器控制器 USB 2.0,USB 3.2 GPIO,I2C,I2S,SPI,SMBus,USB 接口 100-VQFN(12x12)
Microchip
100-VQFN
2000
USB 集線器控制器 USB 2.0,USB 3.1 GPIO,I2C,I2S,SPI,SMBus,USB 接口 100-VQFN(12x12)
Microchip
100-VQFN
2000
USB 集線器控制器 USB 2.0,USB 3.1 GPIO,I2C,I2S,SPI,SMBus,USB 接口 100-VQFN(12x12)
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瑞薩科技是世界十大半導體芯片供應商之一,在很多諸如移動通信、汽車電子和PC/AV 等領域獲得了全球最高市場份額。瑞薩科技在2003年4月1日正式成立,以領先的科技實現(xiàn)人類的夢想。結合了日立與三菱電機在半導體領域上的豐富經驗和專業(yè)知識,配合全球二萬七千名員工的無限創(chuàng)…
TP65H100G4LSGB
TP65H100G4LSGB是 Renesas 推出的650V SuperGaN GaN FET ,采用 Gen IV 技術平臺,結合高電壓 GaN HEMT 與低電壓 硅MOSFET ,具備優(yōu)異可靠性及性能。產品屬性FET 類型:N 通道技術:GaNFET(氮化鎵)漏源電壓(Vdss):650 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):18.9A(Tc)驅動…TP65H100G4PS
TP65H100G4PS是 Renesas 推出的650V GaN FET (氮化鎵場效應晶體管),采用 Gen IV SuperGaN平臺技術,具有高可靠性、低損耗特性。主要規(guī)格FET 類型:N 通道技術:GaNFET(氮化鎵)漏源電壓(Vdss):650 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):18.9A(Tc)驅動電壓(最大 Rds On…TP65H035G4YS
TP65H035G4YS 是 Renesas 推出的SuperGaN FET器件,采用 TO-247-4L封裝 ,導通電阻為35mΩ,具備開爾文源極端子設計。TP65H035G4YS器件結合了最先進的高壓 GaN HEMT 和低壓硅 MOSFET 技術,可提供卓越的可靠性和性能。TP65H035G4YS 具有以下主要特性:第四代技術符合 JED…TP65H035G4WSQA
TP65H035G4WSQA 650V 35mΩ 氮化鎵 (GaN) FET 是使用Renesas的 GenIV 平臺構建的常閉器件。使用專有技術,從而降低了內部封裝電感并簡化了組裝過程。它將最先進的高壓 GaN HEMT 與低壓硅 MOSFET 相結合,以提供卓越的可靠性和性能。此外,TP65H035G4WSQA還通過了 175C …TP65H070G4RS
TP65H070G4RS 是 Renesas 推出的第四代 SuperGaN 技術FET器件,采用 TOLT封裝 (頂部散熱型表面貼裝),適用于需要高效熱管理和高可靠性的場景。其主要規(guī)格如下:FET 類型:N 通道技術:GaNFET(氮化鎵)漏源電壓(Vdss):650 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):29A(Tc)驅…TP65H070G4PS
TP65H070G4PS是一款650V、70mΩ的氮化鎵(GaN)場效應晶體管(FET),采用TO-220封裝,由(Renesas)生產。該器件具有低導通電阻和優(yōu)異開關性能,適用于高效率電源轉換場景。核心參數(shù)FET 類型:N 通道技術:GaNFET(氮化鎵)漏源電壓(Vdss):650 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極…電話咨詢:86-755-83294757
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