商品名稱:時(shí)鐘緩沖器
品牌:Renesas
年份:25+
封裝:64-VFQFPN
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:2000 件
8V79S683NLGI是一款完全集成的時(shí)鐘和 SYSREF 信號(hào)扇出緩沖器,適用于 JESD204B/C 應(yīng)用。 該器件是專為無(wú)線基站無(wú)線電設(shè)備電路板設(shè)計(jì)的高性能時(shí)鐘和轉(zhuǎn)換器同步解決方案,符合 JESD204B/C 子類 0、1 和 2 標(biāo)準(zhǔn)。
其主要特性包括:
時(shí)鐘和 SYSREF 信號(hào)的分配、扇出、相位延遲
極低的輸出本底噪聲:-158.8dBc/Hz 本底噪聲(245.76MHz)
支持高達(dá) 3GHz 的時(shí)鐘頻率,包括 983.04MHz、491.52MHz、245.76MHz 和 122.88MHz 的時(shí)鐘輸出頻率
4 個(gè)輸出通道,共 16 個(gè)差分輸出
每個(gè)通道都包含分頻器和時(shí)鐘相位延遲電路
跨多個(gè)緩沖器的相位對(duì)齊模式,具有任何分頻器設(shè)置
靈活的差分輸出(LVDS/LVPECL/幅度可配置)
通過(guò) 3 線 SPI 接口進(jìn)行配置
電源電壓:
3.3V 內(nèi)核和信號(hào) I/O
1.8V 數(shù)字控制 SPI I/O(3.3V 容限輸入)
64-VFQFPN 封裝(9 × 9 × 0.85 mm)
環(huán)境溫度范圍:-40°C 至 +105°C(外殼)
此外,8V79S683NLGI的主要功能是分配和扇出由 JESB204B 時(shí)鐘發(fā)生器(如8V19N490)生成的高頻時(shí)鐘和低頻系統(tǒng)參考信號(hào),從而擴(kuò)展其扇出功能并提供額外的相位延遲。8V79S683NLGI經(jīng)過(guò)優(yōu)化,可提供相位噪聲極低的時(shí)鐘和精確的相位可調(diào) SYSREF 同步信號(hào)。 低偏移輸出、低器件間偏移特性和快速輸出上升/下降時(shí)間有助于系統(tǒng)設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)跨器件的確定性時(shí)鐘和 SYSREF 相位關(guān)系。
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫(kù)存流動(dòng)性比較大,目前還無(wú)法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。
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瑞薩科技是世界十大半導(dǎo)體芯片供應(yīng)商之一,在很多諸如移動(dòng)通信、汽車電子和PC/AV 等領(lǐng)域獲得了全球最高市場(chǎng)份額。瑞薩科技在2003年4月1日正式成立,以領(lǐng)先的科技實(shí)現(xiàn)人類的夢(mèng)想。結(jié)合了日立與三菱電機(jī)在半導(dǎo)體領(lǐng)域上的豐富經(jīng)驗(yàn)和專業(yè)知識(shí),配合全球二萬(wàn)七千名員工的無(wú)限創(chuàng)…
TP65H100G4LSGB
TP65H100G4LSGB是 Renesas 推出的650V SuperGaN GaN FET ,采用 Gen IV 技術(shù)平臺(tái),結(jié)合高電壓 GaN HEMT 與低電壓 硅MOSFET ,具備優(yōu)異可靠性及性能。產(chǎn)品屬性FET 類型:N 通道技術(shù):GaNFET(氮化鎵)漏源電壓(Vdss):650 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):18.9A(Tc)驅(qū)動(dòng)…TP65H100G4PS
TP65H100G4PS是 Renesas 推出的650V GaN FET (氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管),采用 Gen IV SuperGaN平臺(tái)技術(shù),具有高可靠性、低損耗特性。主要規(guī)格FET 類型:N 通道技術(shù):GaNFET(氮化鎵)漏源電壓(Vdss):650 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):18.9A(Tc)驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On…TP65H035G4YS
TP65H035G4YS 是 Renesas 推出的SuperGaN FET器件,采用 TO-247-4L封裝 ,導(dǎo)通電阻為35mΩ,具備開(kāi)爾文源極端子設(shè)計(jì)。TP65H035G4YS器件結(jié)合了最先進(jìn)的高壓 GaN HEMT 和低壓硅 MOSFET 技術(shù),可提供卓越的可靠性和性能。TP65H035G4YS 具有以下主要特性:第四代技術(shù)符合 JED…TP65H035G4WSQA
TP65H035G4WSQA 650V 35mΩ 氮化鎵 (GaN) FET 是使用Renesas的 GenIV 平臺(tái)構(gòu)建的常閉器件。使用專有技術(shù),從而降低了內(nèi)部封裝電感并簡(jiǎn)化了組裝過(guò)程。它將最先進(jìn)的高壓 GaN HEMT 與低壓硅 MOSFET 相結(jié)合,以提供卓越的可靠性和性能。此外,TP65H035G4WSQA還通過(guò)了 175C …TP65H070G4RS
TP65H070G4RS 是 Renesas 推出的第四代 SuperGaN 技術(shù)FET器件,采用 TOLT封裝 (頂部散熱型表面貼裝),適用于需要高效熱管理和高可靠性的場(chǎng)景。其主要規(guī)格如下:FET 類型:N 通道技術(shù):GaNFET(氮化鎵)漏源電壓(Vdss):650 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):29A(Tc)驅(qū)…TP65H070G4PS
TP65H070G4PS是一款650V、70mΩ的氮化鎵(GaN)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET),采用TO-220封裝,由(Renesas)生產(chǎn)。該器件具有低導(dǎo)通電阻和優(yōu)異開(kāi)關(guān)性能,適用于高效率電源轉(zhuǎn)換場(chǎng)景。核心參數(shù)FET 類型:N 通道技術(shù):GaNFET(氮化鎵)漏源電壓(Vdss):650 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極…電話咨詢:86-755-83294757
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