商品名稱:碳化硅 MOSFET 單管
品牌:INFINEON
年份:25+
封裝:PG-HDSOP-16
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:2000 件
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IMLT65R026M2H是由(Infineon)推出的一款CoolSiC? MOSFET,型號(hào)為650V G2,采用TOLL封裝,導(dǎo)通電阻為26m???。這款MOSFET結(jié)合了CoolSiC? G2的最佳性能和頂部冷卻技術(shù),旨在實(shí)現(xiàn)最高的系統(tǒng)功率密度?。
IMLT65R026M2H 規(guī)格
封裝 / 箱體:HDSOP-16
晶體管極性:N-Channel
通道數(shù)量:1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:650 V
Id-連續(xù)漏極電流:82 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:33 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:- 10 V, + 25 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:5.6 V
Qg-柵極電荷:42 nC
工作溫度:- 55°C 至 + 175°C
Pd-功率耗散:365 W
通道模式:Enhancement
配置:Single
下降時(shí)間:5.1 ns
封裝:Reel
封裝:Cut Tape
產(chǎn)品:MOSFETs
產(chǎn)品類型:SiC MOSFETS
上升時(shí)間:10.1 ns
系列:650V G2
晶體管類型:1 N-Channel
類型:SiC MOSFET
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:16 ns
典型接通延遲時(shí)間:9.3 ns
應(yīng)用場(chǎng)景
IMLT65R026M2H適用于需要高性能、高可靠性和長(zhǎng)壽命的應(yīng)用場(chǎng)景,特別是在要求高功率密度和系統(tǒng)成本優(yōu)化的設(shè)計(jì)中表現(xiàn)出色。
型號(hào)
品牌
封裝
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描述
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