商品名稱:IAUT240N08S5N019
數(shù)據(jù)手冊:IAUT240N08S5N019.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:PG-HSOF-8-1
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:3000 件
IAUT240N08S5N019 是一款240A 80V N 通道MOSFET,采用PG-HSOF-8-1無引線封裝。Infineon OptiMOS? 5功率MOSFET的設(shè)計符合提升系統(tǒng)效率的需求,同時可降低系統(tǒng)成本。相較于其他備選器件,此器件的RDS(on)和品質(zhì)因數(shù) (RDS(on) x Qg) 更低。
產(chǎn)品規(guī)格:
FET 類型:N 通道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):80 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):240A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):6V,10V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值):1.9 毫歐 @ 100A,10V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):3.8V @ 160μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):130 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):9264 pF @ 40 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):230W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝:PG-HSOF-8-1
封裝/外殼:8-PowerSFN
基本產(chǎn)品編號:IAUT240
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
PowerFLAT? 5x6
15000
汽車級N溝道80 V、3.15 mOhm典型值、130 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封裝
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價格/性能、實(shí)時響應(yīng)性、計算能…1ED3144MC12H
1ED3144MC12H是一款高性能電隔離單通道柵極驅(qū)動器,由 Infineon 生產(chǎn)推出,設(shè)計目的是驅(qū)動IGBT、MOSFET和SiC MOSFET。1ED3144MC12H的典型輸出電流高達(dá)6.5A。輸入邏輯引腳在3V至6.5V的寬輸入電壓范圍內(nèi)工作,其采用CMOS閾值電平,支持3.3V微控制器。1ED3144MC12H具有以下主…1ED3143MC12H
1ED3143MC12H是一款EiceDRIVER?緊湊型單通道隔離柵極驅(qū)動器,具備6.5 A灌電流和6 A拉電流的峰值輸出能力,采用8引腳寬體LDSO封裝,適用于 IGBT、MOSFET和SiC MOSFET。該器件的主要特性包括:支持高達(dá)2300 V的IGBT、硅(Si)和碳化硅(SiC)開關(guān)功能偏置電壓:2300 V采用…1ED3142MC12H
1ED3142MC12H是一款單通道隔離柵極驅(qū)動器,具備6.5 A灌電流和6 A拉電流的峰值輸出能力,其采用8引腳寬體LDSO封裝,適用于 IGBT、MOSFET和SiC MOSFET。特征描述支持高達(dá)2300 V的IGBT、硅(Si)和碳化硅(SiC)開關(guān)功能偏置電壓:2300 V采用電氣隔離的無芯變壓器技術(shù)典型峰…1ED3141MC12H
1ED3141MC12H EiceDRIVER? X3緊湊型IC是高性能電隔離單通道柵極驅(qū)動器,設(shè)計目的是驅(qū)動IGBT、MOSFET和SiC MOSFET。1ED3141MC12H的典型輸出電流高達(dá)6.5A。輸入邏輯引腳在3V至6.5V的寬輸入電壓范圍內(nèi)工作,采用CMOS閾值電平,支持3.3V微控制器。特征描述支持高達(dá)2300 V的I…1ED2147S65F
1ED2147S65F是一款設(shè)計用于為高壓功率晶體管提供穩(wěn)健高效的控制的650V高側(cè)柵極驅(qū)動器 IC。該產(chǎn)品的主要特性包括集成自舉二極管、快速開關(guān)能力,以及全面的保護(hù)機(jī)制,如欠壓閉鎖 (UVLO) 和過電流保護(hù)。基本參數(shù)和特點(diǎn)英飛凌薄膜SOI技術(shù)最大阻斷電壓:+650V輸出拉/灌電流:…電話咨詢:86-755-83294757
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