商品名稱:射頻開關(guān)
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:9-XFLGA
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:10000 件
BGS13S4N9 - 寬帶射頻 SP3T 開關(guān)
零件編號(hào):BGS13S4N9
封裝:9-XFLGA
類型:射頻開關(guān) IC
詳細(xì)說(shuō)明:射頻開關(guān) IC 通用 SP3T 50Ohm PG-TSNP-9-3
產(chǎn)品概述
BGS13S4N9 - RF MOS 開關(guān)專為手機(jī)和移動(dòng)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。3 個(gè)端口中的任何一個(gè)都可用作分集天線的終端,處理能力高達(dá) 30 dBm。它具有出色的 1kV ESD 穩(wěn)定性。該 SP3T 具有插入損耗低、對(duì)天線端口干擾信號(hào)的抗干擾能力強(qiáng)以及在終端模式下諧波生成低等特點(diǎn)。片上控制器集成了 CMOS 邏輯和電平轉(zhuǎn)換器,由 1.35 V 至 VDD 的控制輸入驅(qū)動(dòng)。
BGS13S4N9 射頻開關(guān)采用英飛凌的專利 MOS 技術(shù)制造,具有砷化鎵的性能和傳統(tǒng) CMOS 的經(jīng)濟(jì)性和集成性,包括固有的更高 ESD 魯棒性。該器件尺寸非常小,僅為 1.1 x 1.1 mm2,最大高度為 0.375 mm。
功能概述
3 個(gè)高線性度 TRx 路徑,功率處理能力高達(dá) 30 dBm
外形小巧 1.1 x 1.1 mm2 x 0.375 mm
2.7GHz 時(shí)插入損耗低 0.55 dB
低諧波產(chǎn)生
端口間隔離度高
0.1 至 3.0 千兆赫覆蓋范圍
片上控制邏輯包括 ESD 保護(hù)
GPIO 控制接口
無(wú)需電源阻斷
高 EMI 強(qiáng)度
符合 RoHS 和 WEEE 規(guī)范的封裝
潛在應(yīng)用
射頻 CMOS 開關(guān)專為 Edge / CDMA2000 / LTE / WCDMA 應(yīng)用而設(shè)計(jì)
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫(kù)存流動(dòng)性比較大,目前還無(wú)法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。
答:我們的自營(yíng)商品均采自合作的國(guó)內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商,來(lái)源均可追溯,確保原裝正品。
答:目前我們自營(yíng)代理的品牌包含TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX等一線品牌,其他渠道均為原廠及代理渠道。如有需要,我們可以針對(duì)具體品牌型號(hào)來(lái)溝通確認(rèn)。
答:可以通過(guò)網(wǎng)站上詢價(jià),也可以通過(guò)電話以及郵箱咨詢。
答:大部分商品信息中都有標(biāo)注貨期,您可根據(jù)貨期估計(jì)商品的發(fā)貨時(shí)間,具體到貨時(shí)間根據(jù)商品具體所在的倉(cāng)庫(kù)、您所選擇的物流方式而定。
答:可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…IMTA65R033M2H
CoolSiC? MOSFET 離散型 650 V G2 薄型 TOLL 8x8 器件是利用高性能技術(shù)(如 CoolSiC? G2)的最佳 8x8 解決方案。它突破了標(biāo)準(zhǔn) 8x8 器件在熱循環(huán)方面的限制,并通過(guò)改進(jìn) .XT 互聯(lián)結(jié)構(gòu)降低了熱阻。因此,可以充分利用 SiC 的特性,同時(shí)保持較小的占位面積,這是功率密度提…IMTA65R026M2H
CoolSiC? MOSFET 離散型 650 V G2 薄型 TOLL 8x8 器件是利用高性能技術(shù)(如 CoolSiC? G2)的最佳 8x8 解決方案。它突破了標(biāo)準(zhǔn) 8x8 器件在熱循環(huán)方面的限制,并通過(guò)改進(jìn) .XT 互聯(lián)結(jié)構(gòu)降低了熱阻。因此,可以充分利用 SiC 的特性,同時(shí)保持較小的占位面積,這是功率密度提…ISP670P06NMA
ISP670P06NMA 采用 0.167 歐姆的低 RDS(on) 值,便于功率損耗管理,使其成為 SOT-223 封裝中專為汽車應(yīng)用設(shè)計(jì)的最佳 MOSFET。P 溝道器件的主要優(yōu)勢(shì)在于簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)復(fù)雜性。此外,該 MOSFET 的雪崩耐受能力使其適用于高要求應(yīng)用。ISP670P06NMA 的特點(diǎn)汽車級(jí)認(rèn)證產(chǎn)品組合中最低…ISC165N15NM6
ISC165N15NM6 采用 OptiMOS? 6 150 V 技術(shù),憑借其無(wú)與倫比的性能和可靠性,為傳統(tǒng) OptiMOS? 3 150 V 產(chǎn)品提供了理想的替代方案。OptiMOS? 6 150 V 技術(shù)專為滿足高頻率和低頻率開關(guān)應(yīng)用的需求而設(shè)計(jì),適用于硬開關(guān)和軟開關(guān)模式。ISC165N15NM6 的特點(diǎn)與 OptiMOS? 5 相IPTC034N15NM6
IPTC034N15NM6 OptiMOS? 6 150 V 在標(biāo)準(zhǔn)模式下,為高度競(jìng)爭(zhēng)的 150 V 市場(chǎng)樹立了新的性能標(biāo)桿。OptiMOS? 6 150 V 技術(shù)專為滿足高頻率和低頻率開關(guān)應(yīng)用的需求而設(shè)計(jì),適用于硬開關(guān)和軟開關(guān)模式。結(jié)合 TOLT 封裝,它實(shí)現(xiàn)了頂部散熱,提供卓越的熱性能,通過(guò)散熱片將高達(dá) 9…電話咨詢:86-755-83294757
企業(yè)QQ:1668527835/ 2850151598/?2850151584/ 2850151585
服務(wù)時(shí)間:9:00-18:00
聯(lián)系郵箱:chen13410018555@163.com/sales@hkmjd.com
公司地址:廣東省深圳市福田區(qū)振中路新亞洲國(guó)利大廈1239-1241室
CopyRight?2022 版權(quán)歸明佳達(dá)電子公司所有 粵ICP備05062024號(hào)-12
官方二維碼
友情鏈接: