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商品名稱(chēng):2EDS8265H
數(shù)據(jù)手冊(cè):2EDS8265H.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:DSO-16
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
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2EDS8265H 是一個(gè)快速雙通道隔離 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器 IC 系列,通過(guò)無(wú)芯變壓器 (CT) 技術(shù)提供功能性 (2EDFx) 或增強(qiáng)型 (2EDSx) 輸入/輸出隔離。2EDi 具有高驅(qū)動(dòng)電流、出色的共模抑制和快速信號(hào)傳播特性,特別適合驅(qū)動(dòng)中高電流和高電壓應(yīng)用。適用于驅(qū)動(dòng)快速開(kāi)關(guān)電源系統(tǒng)中的中高壓 MOSFET(CoolMOS?、OptiMOS?、CoolSIC?、CoolGaN?)。
特性
● 4 A / 8 A 或 1 A / 2 A 源電流/注入電流
● PWM 開(kāi)關(guān)頻率高達(dá) 10 MHz
● 典型 PWM 信號(hào)傳播延遲為 37 ns,通道間誤差為 3 ns。
● 3 ns 通道間誤差
● +7/-6 ns 傳播延遲差
● 共模瞬態(tài)抗擾度 CMTI >150 V/ns
● 輸入端欠壓鎖定 (UVLO) 快速安全關(guān)斷
● 輸出電源電壓為 4.5 V 至 20 V,欠壓鎖定閾值為 4 V 或 8 V
應(yīng)用
● 服務(wù)器、電信和工業(yè) SMPS
● 同步整流、磚式轉(zhuǎn)換器、UPS 和電池儲(chǔ)能
● 電動(dòng)汽車(chē)充電、工業(yè)自動(dòng)化、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和電動(dòng)工具
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門(mén)子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門(mén),于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱(chēng)為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿(mǎn)足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…IR3899MTRPBF
IR3899MTRPBF 是一款高性能同步降壓穩(wěn)壓器,屬于 SupIRBuck? 系列。它是一款易于使用、高度集成且高效的直流/直流穩(wěn)壓器,適用于多種電源管理場(chǎng)景。IR3899MTRPBF 產(chǎn)品特性高集成度:內(nèi)置 PWM 控制器和 MOSFET,提供緊湊的解決方案。寬輸入電壓范圍:工作電壓范圍為 1V 至…BTS5016SDA
BTS5016SDA 是一款采用 PG-TO252-5-11 封裝的單通道高側(cè)功率開(kāi)關(guān),內(nèi)置保護(hù)功能。BSZ440N10NS3G
BSZ440N10NS3G 是英飛凌推出的 N溝道功率MOSFET,屬于 OptiMOS? 3 系列,采用 PG-TSDSON-8封裝,該器件專(zhuān)為高效率、高功率密度的電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用設(shè)計(jì),具有低導(dǎo)通電阻、快速開(kāi)關(guān)能力和高可靠性等特點(diǎn)。BSZ440N10NS3G產(chǎn)品特性低導(dǎo)通電阻:RDS(on) 低至 1.1 毫歐,顯著降低功…BTS5210L
BTS5210L是英飛凌推出的 PROFET?(Protected FET)智能高側(cè)電源開(kāi)關(guān),屬于多通道功率開(kāi)關(guān)IC,專(zhuān)為 汽車(chē)電子、工業(yè)控制及電源管理 等應(yīng)用設(shè)計(jì)。BSZ011NE2LS5I
BSZ011NE2LS5I是(Infineon)推出的OptiMOS? 5功率MOSFET,設(shè)計(jì)符合提升系統(tǒng)效率的需求,同時(shí)可降低系統(tǒng)成本。相較于其他備選器件,該器件的RDS(on)和品質(zhì)因數(shù) (RDS(on) x Qg) 更低。以下是其核心特性:出色的導(dǎo)通電阻符合標(biāo)準(zhǔn)的開(kāi)關(guān)性能(低品質(zhì)因數(shù)Ron x Qg和Ron x Qg…電話(huà)咨詢(xún):86-755-83294757
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