商品名稱：IAUC60N04S6L030HATMA1
數(shù)據(jù)手冊：
IAUC60N04S6L030HATMA1.pdf
品牌：INFINEON
年份：23+
封裝：TDSON-8
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：1000 件
IAUC60N04S6L030HATMA1 OptiMOS? 6功率MOSFET是先進(jìn)的下一代創(chuàng)新性器件，性能極為出色。該MOSFET采用薄晶圓技術(shù)，顯著提升了性能。與同類產(chǎn)品相比，OptiMOS 6功率MOSFET的RDS(ON)降低了30％，并針對同步整流進(jìn)行了優(yōu)化。
規(guī)格
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
配置：2 個 N 通道（半橋）
FET 功能：邏輯電平門
漏源電壓（Vdss）：40V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：60A（Tj）
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：3 毫歐 @ 30A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2V @ 25μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：35nC @ 10V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：2128pF @ 25V
功率 - 最大值：75W（Tc）
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝型
封裝/外殼：8-PowerVDFN
供應(yīng)商器件封裝：PG-TDSON-8-56
基本產(chǎn)品編號：IAUC60
典型應(yīng)用包括SMPS、服務(wù)器、電信、充電器、驅(qū)動器、遙控直升機(jī)、無線充電等設(shè)備。
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 337A（Tc），317A（Tc） 1.492kW（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 472A（Tc），442A（Tc） 1.846kW（Tc），1.161kW（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
10000
MOSFET - 陣列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 124A（Tc），89A（Tc） 602W（Tc），395W（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 317A（Tc），227A（Tc） 1.253kW（Tc），613W（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 89A（Tc），124A（Tc） 395W（Tc），365W（Tc） 底座安裝
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S29GL01GT11FHIV10
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