商品名稱:IPF014N08NF2S
數(shù)據(jù)手冊(cè):IPF014N08NF2S.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:PG-TO263-7
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
IPF014N08NF2S StrongIRFET?2功率MOSFET 80V具有1.4 mOhm的低RDS(ON),該MOSFET優(yōu)化用于各種應(yīng)用,包括電源管理(SMPS)、適配器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電池供電應(yīng)用、電池管理、UPS、輕型電動(dòng)車。
規(guī)格
FET 類型:N 通道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):80 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):282A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):6V,10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):1.4 毫歐 @ 100A,10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):3.8V @ 267μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):255 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):12000 pF @ 40 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):300W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝:PG-TO263-7-14
封裝/外殼:TO-263-8,D2Pak(7 引線+接片),TO-263CA
基本產(chǎn)品編號(hào):IPF014N
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…IPB095N20NM6
IPB095N20NM6功率MOSFET是一款N溝道正常電平MOSFET,采用PG-TO263-3封裝。它具有優(yōu)良柵極電荷 xRDS(on) 積 (FOM)、極低反向恢復(fù)電荷 (Qrr) 和低導(dǎo)通電阻RDS(on) 。該產(chǎn)品符合IEC61249?2?21規(guī)定的無鹵素要求,根據(jù)J?STD-020標(biāo)準(zhǔn)分類潮濕敏感度等級(jí)為 (MSL 1) 。IPB095N…IPW65R018CM8
IPW65R018CM8是(Infineon)推出的650V CoolMOS? 8 代超結(jié)(SJ)MOSFET,屬于第三代功率半導(dǎo)體產(chǎn)品。以下是其核心參數(shù):FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):650 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):116A(Tc)驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)…IPW65R025CM8
IPW65R025CM8是(Infineon)推出的一款CoolMOS? CM8 650V功率MOSFET,它根據(jù)超級(jí)結(jié)(SJ)原理設(shè)計(jì),具有低開關(guān)和導(dǎo)通損耗。該款MOSFET具有優(yōu)異的換向耐受性,因此適合用于硬開關(guān)和軟開關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。主要規(guī)格FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):…IPW65R060CM8
IPW65R060CM8是一款45 A、CoolMOS? CM8 650V功率MOSFET,具有低開關(guān)和導(dǎo)通損耗。IPW65R060CM8具有優(yōu)異的換向耐受性,因此適合用于硬開關(guān)和軟開關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。關(guān)鍵參數(shù)FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):650 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):45A(…IMDQ75R025M2H
IMDQ75R025M2H是(Infineon)推出的一款CoolSiC? 750V G2碳化硅MOSFET,其設(shè)計(jì)具有高效率,能強(qiáng)力防止單極柵極驅(qū)動(dòng)的寄生導(dǎo)通,以及具有可靠性。這款CoolSiC? 750V G2 MOSFET改進(jìn)了柵極控制,使得最大漏-源導(dǎo)通電阻在25 m?以下,讓開關(guān)損耗也尤為突出。主要規(guī)格FET 類…電話咨詢:86-755-83294757
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