商品名稱:IPF010N06NF2S
數(shù)據手冊:IPF010N06NF2S.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:TO-263-7
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
IPF010N06NF2S StrongIRFET? 2 個 60 V 單 N 溝道功率 MOSFET,采用 D2PAK 7 引腳封裝。
產品屬性
制造商: Infineon
產品種類: MOSFET
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-263-7
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V
Id-連續(xù)漏極電流: 293 A
Rds On-漏源導通電阻: 1.05 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.1 V
Qg-柵極電荷: 203 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 300 W
通道模式: Enhancement
商標名: StrongIRFET
系列: StrongIRFET 2
配置: Single
下降時間: 34 ns
正向跨導 - 最小值: 150 S
上升時間: 34 ns
典型關閉延遲時間: 69 ns
典型接通延遲時間: 26 ns
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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IMDQ75R007M2H是(Infineon)推出的 CoolSiC? MOSFET ,屬于第二代產品,采用碳化硅(SiC)技術,主要規(guī)格包括:FET 類型:N 通道技術:SiCFET(碳化硅)漏源電壓(Vdss):840 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):222A(Tc)驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):15V,20V…IMDQ75R060M2H
IMDQ75R060M2H是(Infineon)推出的 CoolSiC? MOSFET,屬于750V第二代產品,采用 Q-DPAK 封裝,具備低導通電阻(60mΩ)和高效散熱設計。 ?關鍵參數(shù)FET 類型:N 通道技術:SiCFET(碳化硅)漏源電壓(Vdss):840 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):30A(Tc)驅動電壓(最大…IMDQ75R004M2H
IMDQ75R004M2H功率器件是(Infineon)推出的 CoolSiC? MOSFET ,屬于第二代碳化硅技術產品,適用于高效電力電子設計。IMDQ75R004M2H具有以下關鍵參數(shù):FET 類型:N 通道技術:SiCFET(碳化硅)漏源電壓(Vdss):840 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):357A(Tc)驅動電壓(…電話咨詢:86-755-83294757
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