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商品名稱(chēng):AIMW120R035M1HXKSA1
數(shù)據(jù)手冊(cè):AIMW120R035M1HXKSA1.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:TO-247-3
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
AIMW120R035M1HXKSA1提供52A的漏極電流 (ID) 和35mΩ的導(dǎo)通電阻,Infineon車(chē)規(guī)級(jí)1200V碳化硅溝槽型MOSFET專(zhuān)為車(chē)載充電器/PFC和升壓器/DC-DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用而設(shè)計(jì)。Infineon Technologies CoolSiC?車(chē)規(guī)級(jí)1200V碳化硅溝槽型MOSFET具有更高的功率密度、更高的頻率和更高的效率。
產(chǎn)品屬性
FET 類(lèi)型:N 通道
技術(shù):SiCFET(碳化硅)
漏源電壓(Vdss):1200 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):52A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):18V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):46 毫歐 @ 25A,18V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):5.7V @ 10mA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):59 nC @ 18 V
Vgs(最大值):+23V,-7V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):2130 pF @ 800 V
功率耗散(最大值):228W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類(lèi)型:通孔
供應(yīng)商器件封裝:PG-TO247-3-41
封裝/外殼:TO-247-3
應(yīng)用
● 車(chē)載充電器/PFC
● 升壓器/DC-DC轉(zhuǎn)換器
● 輔助逆變器
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
答:所有上架的在線(xiàn)商品均可在線(xiàn)即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫(kù)存流動(dòng)性比較大,目前還無(wú)法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線(xiàn)聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。
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答:可以為個(gè)人用戶(hù)開(kāi)具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶(hù)開(kāi)具增值稅專(zhuān)用發(fā)票。
英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門(mén)子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門(mén),于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱(chēng)為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線(xiàn)、總線(xiàn)仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿(mǎn)足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…IPW65R018CM8
IPW65R018CM8是(Infineon)推出的650V CoolMOS? 8 代超結(jié)(SJ)MOSFET,屬于第三代功率半導(dǎo)體產(chǎn)品。以下是其核心參數(shù):FET 類(lèi)型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):650 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):116A(Tc)驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)…IPW65R025CM8
IPW65R025CM8是(Infineon)推出的一款CoolMOS? CM8 650V功率MOSFET,它根據(jù)超級(jí)結(jié)(SJ)原理設(shè)計(jì),具有低開(kāi)關(guān)和導(dǎo)通損耗。該款MOSFET具有優(yōu)異的換向耐受性,因此適合用于硬開(kāi)關(guān)和軟開(kāi)關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。主要規(guī)格FET 類(lèi)型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):…IPW65R060CM8
IPW65R060CM8是一款45 A、CoolMOS? CM8 650V功率MOSFET,具有低開(kāi)關(guān)和導(dǎo)通損耗。IPW65R060CM8具有優(yōu)異的換向耐受性,因此適合用于硬開(kāi)關(guān)和軟開(kāi)關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。關(guān)鍵參數(shù)FET 類(lèi)型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):650 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):45A(…IMDQ75R025M2H
IMDQ75R025M2H是(Infineon)推出的一款CoolSiC? 750V G2碳化硅MOSFET,其設(shè)計(jì)具有高效率,能強(qiáng)力防止單極柵極驅(qū)動(dòng)的寄生導(dǎo)通,以及具有可靠性。這款CoolSiC? 750V G2 MOSFET改進(jìn)了柵極控制,使得最大漏-源導(dǎo)通電阻在25 m?以下,讓開(kāi)關(guān)損耗也尤為突出。主要規(guī)格FET 類(lèi)…IMDQ75R007M2H
IMDQ75R007M2H是(Infineon)推出的 CoolSiC? MOSFET ,屬于第二代產(chǎn)品,采用碳化硅(SiC)技術(shù),主要規(guī)格包括:FET 類(lèi)型:N 通道技術(shù):SiCFET(碳化硅)漏源電壓(Vdss):840 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):222A(Tc)驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):15V,20V…電話(huà)咨詢(xún):86-755-83294757
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