商品名稱(chēng):2EDR8259HXUMA1
數(shù)據(jù)手冊(cè):2EDR8259HXUMA1.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:PG-DSO-16
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
2EDR8259HXUMA1是一個(gè)雙通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器 IC 系列,設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng) Si MOSFET、SiC MOSFET 和 GaN 功率開(kāi)關(guān)。是通過(guò)英飛凌無(wú)芯變壓器 (CT) 技術(shù)實(shí)現(xiàn)的,該技術(shù)保證了穩(wěn)健的運(yùn)行和行業(yè)基準(zhǔn)的共模抑制 (CMTI)。高傳播延遲精度和低通道間失配使該產(chǎn)品成為快速開(kāi)關(guān)中的理想之選,產(chǎn)品非常適合用于快速開(kāi)關(guān)電源系統(tǒng)。此外,高 CMTI、高反向電流能力和低于 UVLO 的輸出快速箝位功能也確保了該產(chǎn)品的可靠性。
特性
● 雙通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器,用于硅和碳化硅MOSFET和GaN HEMT電源開(kāi)關(guān)
● 快速輸入至輸出傳播(38ns),具有出色的穩(wěn)定性(+9ns/-5ns)
● 5A/9A拉/灌電流強(qiáng)輸出級(jí)
● 對(duì)于VDDA/B<UVLO快速輸出鉗位
● 快速UVLO恢復(fù)時(shí)間(<2μs)
● 4個(gè)VDDA/B UVLO選項(xiàng):4V、8V、12V和15V
● CMTI:>150V/ns
● 采用16/14引腳300mil DSO封裝
應(yīng)用
● 服務(wù)器、電信SMPS
● EV非車(chē)載充電器
● 低壓驅(qū)動(dòng)和電動(dòng)工具
● 太陽(yáng)能微型逆變器和太陽(yáng)能優(yōu)化器
● 工業(yè)電源(SMPS、住宅用UPS)
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門(mén)子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門(mén),于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱(chēng)為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…AIMDQ75R016M2H
AIMDQ75R016M2H是(Infineon)推出的第二代碳化硅MOSFET,具有改進(jìn)的開(kāi)關(guān)性能、更低的損耗和增強(qiáng)的熱管理。與第 1 代產(chǎn)品相比,開(kāi)關(guān)速度提高了 25%,品質(zhì)因數(shù)提高了 35%,為汽車(chē)應(yīng)用提供了更高效、更緊湊、更可靠的系統(tǒng)。關(guān)鍵參數(shù)FET 類(lèi)型:N 通道技術(shù):SiCFET(碳化硅)…AIMDQ75R025M2H
AIMDQ75R025M2H是(Infineon)推出的一款750V G2碳化硅MOSFET,具有高效率,高可靠性、能強(qiáng)力防止單極柵極驅(qū)動(dòng)的寄生導(dǎo)通特性。該MOSFET在圖騰柱、ANPC、Vienna整流器和FCC硬開(kāi)關(guān)拓?fù)渲刑峁┏錾男阅堋<夹g(shù)規(guī)格FET 類(lèi)型:N 通道技術(shù):SiCFET(碳化硅)漏源電壓(Vdss):…AIMDQ75R060M2H
AIMDQ75R060M2H是(Infineon)推出的 CoolSiC? 系列汽車(chē)級(jí)碳化硅MOSFET ,屬于750V第二代產(chǎn)品,采用Q-DPAK頂側(cè)散熱封裝。以下是其核心參數(shù)與適用場(chǎng)景:FET 類(lèi)型:N 通道技術(shù):SiCFET(碳化硅)漏源電壓(Vdss):840 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):30A(Tc)驅(qū)動(dòng)電壓(最…IRFPW4468PBF
IRFPW4468PBF是(Infineon)推出的 HEXFET 功率 MOSFET ,屬于 StrongIRFET? 系列,采用 TO-247 封裝。以下是其核心參數(shù):FET 類(lèi)型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):100 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):25A(Ta),195A(Tc)驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,…IAUCN08S7N016
IAUCN08S7N016 是一款采用 Infineon 領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體技術(shù)構(gòu)建的OptiMOS? 7 80V 汽車(chē) MOSFET。該產(chǎn)品采用創(chuàng)新的頂部冷卻 SSO10T 5x7 mm2 SMD 封裝。IAUCN08S7N016專(zhuān)為滿足要求苛刻的汽車(chē)應(yīng)用所需的高性能、高質(zhì)量和穩(wěn)健性而設(shè)計(jì)。主要規(guī)格FET 類(lèi)型:N 通道技術(shù):MOSFET(…電話咨詢(xún):86-755-83294757
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